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                梁駿吾
                 

                    梁駿吾,1933年9月18日出生於武漢,男,漢族,湖北省武漢市人。半導體材料專家。中共黨員。1955年畢業於武漢大學。1956-1960年在蘇聯科學院莫斯科巴依可夫冶金研究所攻讀副博士學位,1960年獲技術科學副博士學位。現任中國科學院半導體所研究員。曾任中國電子學會半電子材料學分會主任,現任該分會名譽主任。

                 

                    1960-1970在中科院半導體所任助理研究員。負責國家十二年科技規劃中的高純矽研制,得到電阻率為15×104ohm-cm的矽單晶,是當時國際上最好結果之一,獲1964年國家科委頒發的國家科技成果二等獎。研制的矽無坩堝區熔提純設備獲1964年國家科委全國新產品二等獎。1964-1965年負責組建GaAs液相外延研究。1965年首次研制成功國內第一只室溫脈沖相幹激光器用的砷化鎵外延材料。1966-1969年負責156工程中集成電路用矽外延材料任務。解決了連續生長矽高摻雜外延層、SiO2介質層、多晶矽層的工藝技術。為我國第一代介質隔離集成電路提供了外延材料。在4K位和16K位DRAM研制中,成功制備大規模集成電路用無位錯、無旋渦、低微缺陷、低碳、可控氧含量的高質量直拉矽單晶。該兩項研究分別獲中科院1979年及1980年重大成果一等獎。20世紀80年代首創了摻氮中子嬗變區熔矽單晶,獲1988年中科院科技進步一等獎。完成了矽中雜質以及外延中氣體動力學與熱力學耦合計算及微機控制光加熱外延爐。完成了MOCVD生長 GaAlAs/GaAs 量子阱超晶格材料‘863’任務,突破了我國多年來未能生長低閾值的量子阱激光器材料的局面。近年來從事光伏電池材料和器件工作。

                 

                    1997年當選為彩神院士。

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